Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
10

Formation mechanism of twin boundaries during crystal growth of silicon

Рік:
2011
Мова:
english
Файл:
PDF, 497 KB
english, 2011
13

Growth of high-quality multicrystalline Si ingots using noncontact crucible method

Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.53 MB
english, 2012
35

10.2320/materia.45.720

Рік:
2006
Файл:
PDF, 2.84 MB
2006